首页> 外文OA文献 >Surface Morphology Evolution Mechanisms of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Mixture N2/H2-Grown GaN Barrier
【2h】

Surface Morphology Evolution Mechanisms of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Mixture N2/H2-Grown GaN Barrier

机译:具有混合N2 / H2生长GaN势垒的InGaN / GaN多量子阱的表面形貌演化机制

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

This is an Open Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution 4.0 International License (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/), which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any medium, provided you give appropriate credit to the original author(s) and the source, provide a link to the Creative Commons license, and indicate if changes were made.
机译:这是根据知识共享署名4.0国际许可(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)的条款分发的开放访问文章,允许您在任何介质中进行无限制的使用,分发和复制。对原始作者和原始资料给予适当的感谢,提供知识共享许可的链接,并指出是否进行了更改。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号